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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
奕斯偉計算公司在最新的RISC-V邊緣計算SoC中將SiFive CPU、Imagination GPU和自有NPU結合集成
- 今天，北京奕斯偉計算技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“奕斯偉計算”）與Imagination Technologies和SiFive聯(lián)合宣布，奕斯偉EIC77系列SoC中的圖形和計算加速功能由Imagination的GPU IP、SiFive的CPU IP，以及奕斯偉計算的專(zhuān)有神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )單元NPU無(wú)縫集成而成?！癆I時(shí)代，面對千行百業(yè)被重塑的巨大機遇，奕斯偉計算正在構建基于RISC-V的智能計算未來(lái)，”奕斯偉計算副董事長(cháng)王波表示，“算力是AI的核心驅動(dòng)力，我們已推出EIC77系列SoC，以滿(mǎn)足客戶(hù)更多應用場(chǎng)景的不
- 關(guān)鍵字： 奕斯偉 RISC-V SiFive CPU Imagination GPU NPU
NAND市場(chǎng)，激戰打響
- 隨著(zhù)人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
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鎧俠結束減產(chǎn)？?jì)勺鵑AND工廠(chǎng)開(kāi)工率提高至100%
- 據日經(jīng)新聞報道，鑒于市場(chǎng)正在復蘇，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠已結束持續20個(gè)月的減產(chǎn)行動(dòng)，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱(chēng)，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠(chǎng)的生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提高至100%。而隨著(zhù)業(yè)務(wù)好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱(chēng)，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會(huì )繼續根據
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 NAND
RISC-V 開(kāi)源芯片新紀元：毛德操新書(shū)發(fā)布，共筑中國芯未來(lái)
- RISC-V，作為一種開(kāi)源的精簡(jiǎn)指令集架構，近年來(lái)在半導體行業(yè)取得了顯著(zhù)的發(fā)展。2023年，它被麻省理工科技評論評為十大突破性技術(shù)之一，更有機構預測未來(lái)將與英特爾x86和ARM架構形成三分天下的格局。據機構分析，2023年，RISC-V架構芯片的出貨量超過(guò)100億顆，僅用12年就走完了傳統架構30年的發(fā)展歷程。預計未來(lái)幾年，RISC-V的采用率將以40%的年復合增長(cháng)率增長(cháng)。 目前，RISC-V架構在我國也吸引了大量的關(guān)注，近年來(lái)一直被積極研究、發(fā)展。但是，現如
- 關(guān)鍵字： RISC-V 新書(shū)發(fā)布會(huì ) 開(kāi)源 嵌入式系統
毛德操老師《RISC-V CPU芯片設計：香山源代碼剖析》 新書(shū)發(fā)布會(huì )在北京舉辦
- 2024年6月14日，由浙大網(wǎng)新科技股份有限公司首席科學(xué)家、中國開(kāi)源軟件推進(jìn)聯(lián)盟專(zhuān)家委員會(huì )副主任委員、著(zhù)名計算機專(zhuān)家毛德操老師撰寫(xiě)的新書(shū)《RISC-V CPU芯片設計：香山源代碼剖析》在北京中關(guān)村創(chuàng )新中心正式發(fā)布。中國工程院院士倪光南、北京開(kāi)源芯片研究院首席科學(xué)家包云崗、中國開(kāi)源軟件推進(jìn)聯(lián)盟張侃，來(lái)自奕斯偉、摩爾線(xiàn)程、中科海芯、進(jìn)迭時(shí)空、中科彼岸、
- 關(guān)鍵字： 香山芯片 RISC-V CPU
Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場(chǎng)分析機構 Omdia 的話(huà)稱(chēng)，2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話(huà)說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
- 關(guān)鍵字： QLC NAND 閃存
三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 存儲
晶心科技與Arteris攜手加速RISC-V SoC的采用
- 亮點(diǎn):-? ?晶心科技與Arteris的合作旨在支持共同客戶(hù)越來(lái)越多地采用RISC-V SoC。-?? 專(zhuān)注于基于RISC-V的高性能/低功耗設計，涉及消費電子、通信、工業(yè)應用和AI等廣泛市場(chǎng)。-?? 此次合作展示了與領(lǐng)先的晶心RISC-V處理器IP和Arteris芯片互連IP的集成和優(yōu)化解決方案。Arteris, Inc.是一家領(lǐng)先的系統 IP 供應商，致力于加速片上系統（SoC）的創(chuàng )建，晶心科技（臺灣證券交易所股票代碼：6533）是RISC-
- 關(guān)鍵字： 晶心科技 Arteris RISC-V SoC
三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現？
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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與 AI 共舞，RISC-V 芯片加速落地生根
- 環(huán)顧當下芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵詞，RISC-V 一定位列其中。自計算機誕生以來(lái)，指令集架構一直是計算機體系結構中的核心概念之一。目前市場(chǎng)上主流的指令集架構兩大巨頭是 x86 和 ARM，前者基本壟斷了 PC、筆記本電腦和服務(wù)器領(lǐng)域，后者則在智能手機和移動(dòng)終端市場(chǎng)占據主導地位。近年來(lái)，隨著(zhù)全球對芯片自主可控需求的增長(cháng)以及物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算等領(lǐng)域的需求不斷擴大，RISC-V 在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界得到了廣泛關(guān)注和應用，逐漸成為第三大指令集架構。2023 年，RISC-V 架構在更多實(shí)際應用場(chǎng)景中得以落地生根，從物聯(lián)網(wǎng)設備、邊
- 關(guān)鍵字： RISC-V
SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長(cháng)期使用所導致的性能下降方面實(shí)現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現業(yè)界最高
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI 存儲 NAND
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
累計上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對內存等漲價(jià) 至少上調20%
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐?zhù)存儲漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤達到了6.606萬(wàn)億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場(chǎng)總體需求強勁，特別是生
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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